Ne, řada: STripFET V MOSFET Typ N-kanálový 2.3 A 20 V STMicroelectronics, SOT-23, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.3A
Maximální napětí na zdroji Vds
20V
Typ balení
SOT-23
Řada
STripFET V
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
40mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
8 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální ztrátový výkon Pd
350mW
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
1.75 mm
Výška
1.3mm
Délka
3.04mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 069,20
€ 0,356 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 1 069,20
€ 0,356 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2.3A
Maximální napětí na zdroji Vds
20V
Typ balení
SOT-23
Řada
STripFET V
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
40mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální napětí zdroje brány Vgs
8 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální ztrátový výkon Pd
350mW
Přímé napětí Vf
1.1V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
1.75 mm
Výška
1.3mm
Délka
3.04mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ V, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products