řada: STripFETMOSFET STR2P3LLH6 P-kanálový 2 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 876-5702PZnačka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STR2P3LLH6
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

STripFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

90 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

350 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Breite

1.75mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Höhe

1.3mm

Propustné napětí diody

1.1V

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 30,44

€ 0,304 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: STripFETMOSFET STR2P3LLH6 P-kanálový 2 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 50.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 50.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

100

Dostupné v násobkoch 50
100€ 30,44
150€ 45,66
200€ 60,88
250€ 76,10
300€ 91,32
350€ 106,54
400€ 121,76
450€ 136,98
500€ 152,20
550€ 167,42
600€ 182,64
650€ 197,86
700€ 213,08
750€ 228,30
800€ 243,52

€ 30,44

€ 0,304 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

řada: STripFETMOSFET STR2P3LLH6 P-kanálový 2 A 30 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Výrobné balenie (Cievka)

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 50.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 50.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

100

Dostupné v násobkoch 50
100€ 30,44
150€ 45,66
200€ 60,88
250€ 76,10
300€ 91,32
350€ 106,54
400€ 121,76
450€ 136,98
500€ 152,20
550€ 167,42
600€ 182,64
650€ 197,86
700€ 213,08
750€ 228,30
800€ 243,52

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ kanálu

P

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

30 V

Řada

STripFET

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Pinanzahl

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

90 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

2.5V

Minimální prahové napětí řídicí elektrody

1V

Maximální ztrátový výkon

350 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-20 V, +20 V

Länge

3.04mm

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

6 nC při 4,5 V

Maximální pracovní teplota

+150 °C

Breite

1.75mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Höhe

1.3mm

Propustné napětí diody

1.1V

Krajina pôvodu

China

Podrobnosti o výrobku

P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more