Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
SOT-23
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
90mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
-1.1V
Maximální ztrátový výkon Pd
350mW
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
3.04mm
Normy/schválení
No
Breite
1.75 mm
Výška
1.3mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 511,70
€ 0,171 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
3000
€ 511,70
€ 0,171 Each (On a Reel of 3000) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
SOT-23
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
90mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
-1.1V
Maximální ztrátový výkon Pd
350mW
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální provozní teplota
150°C
Délka
3.04mm
Normy/schválení
No
Breite
1.75 mm
Výška
1.3mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


