Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Typ P
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
SOT-23
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
90mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
-1.1V
Maximální ztrátový výkon Pd
350mW
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Délka
3.04mm
Breite
1.75 mm
Höhe
1.3mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 30,44
€ 0,304 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
100
€ 30,44
€ 0,304 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
100
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Typ P
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
2A
Maximální napětí na zdroji Vds
30V
Gehäusegröße
SOT-23
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
90mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Přímé napětí Vf
-1.1V
Maximální ztrátový výkon Pd
350mW
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
6nC
Maximální provozní teplota
150°C
Normy/schválení
No
Délka
3.04mm
Breite
1.75 mm
Höhe
1.3mm
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


