Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
20mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.7W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
34nC
Přímé napětí Vf
-1.1V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4 mm
Výška
1.5mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 2 074,89
€ 0,83 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 2 074,89
€ 0,83 Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Typ P
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
10A
Maximální napětí na zdroji Vds
40V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
20mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.7W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
34nC
Přímé napětí Vf
-1.1V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4 mm
Výška
1.5mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel STAFET™ Power MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


