Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Výkonový MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Řada
STripFET
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Minimum Operating Temperature
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální pracovní teplota
155°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Height
1.25mm
Länge
6mm
Normy/schválení
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 20,30
€ 2,03 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 20,30
€ 2,03 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,03 | € 10,15 |
| 25 - 95 | € 1,922 | € 9,61 |
| 100 - 495 | € 1,508 | € 7,54 |
| 500+ | € 1,27 | € 6,35 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
Výkonový MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Řada
STripFET
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Minimum Operating Temperature
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální pracovní teplota
155°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Height
1.25mm
Länge
6mm
Normy/schválení
No
Number of Elements per Chip
2
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


