řada: STripFET Výkonový MOSFET STS4DNF60L Typ N-kanálový 4 A 60 V, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový STMicroelectronics
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Minimální provozní teplota
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální pracovní teplota
-55°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Výška
1.25mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 21,76
€ 2,176 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
10
€ 21,76
€ 2,176 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
10
| Množstvo | Jednotková cena | Cievka |
|---|---|---|
| 10 - 20 | € 2,176 | € 10,88 |
| 25 - 95 | € 2,064 | € 10,32 |
| 100 - 495 | € 1,618 | € 8,09 |
| 500+ | € 1,364 | € 6,82 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
Výkonový MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
4A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2W
Minimální provozní teplota
150°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
15nC
Maximální pracovní teplota
-55°C
Konfigurace tranzistoru
Isolated
Výška
1.25mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Počet prvků na čip
2
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAripFET™ Dual MOSFET, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products