Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
1.65mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Šířka
4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
P.O.A.
Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
Technické Dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Typ balení
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Maximální napětí zdroje brány Vgs
-20, +20V
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
150°C
Höhe
1.65mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Šířka
4mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
