řada: DeepGate, STripFET MOSFET STS5NF60L Typ N-kanálový 5 A 60 V STMicroelectronics, SOIC, počet kolíků: 8 kolíkový
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4 mm
Výška
1.65mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 7,18
€ 0,718 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Štandardný
10
€ 7,18
€ 0,718 Each (In a Pack of 10) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
10
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 10 - 10 | € 0,718 | € 7,18 |
| 20+ | € 0,682 | € 6,82 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximální napětí na zdroji Vds
60V
Gehäusegröße
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Typ montáže
Surface
Počet kolíků
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Režim kanálu
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
20 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Betriebstemperatur max.
150°C
Šířka
4 mm
Výška
1.65mm
Länge
5mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products