Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
1.65mm
Länge
6mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 13,82
€ 0,691 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
20
€ 13,82
€ 0,691 Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
20
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
5A
Maximum Drain Source Voltage Vds
60V
Package Type
SOIC
Řada
DeepGate, STripFET
Mount Type
Surface
Pinanzahl
8
Maximální odpor zdroje Rds
55mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
2.5W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
17nC
Přímé napětí Vf
1.2V
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
1.65mm
Länge
6mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™ DeepGate™, STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET STripFET™ s širokým rozsahem poruchového napětí nabízejí mimořádně nízké nabití hradla a nízký odpor.


