Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.045 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.25mm
Řada
STripFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,28
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,28
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOIC, SOIC
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
0.045 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
2.5 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
8,5 nC při 4,5 V
Breite
4mm
Počet prvků na čip
1
Höhe
1.25mm
Řada
STripFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C