Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
156 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
10 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh, SuperMESH
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
750 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
156 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
50 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku