řada: MDmeshMOSFET STW11NM80 N-kanálový 11 A 800 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.15mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43,6 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 76,32
€ 2,544 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 76,32
€ 2,544 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,544 | € 76,32 |
| 90 - 480 | € 2,033 | € 60,98 |
| 510 - 960 | € 1,809 | € 54,26 |
| 990 - 4980 | € 1,613 | € 48,38 |
| 5010+ | € 1,575 | € 47,24 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
11 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
400 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
150 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Breite
5.15mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
43,6 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-65 °C
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products