Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Typ balení
TO-247
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
400mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
43.6nC
Přímé napětí Vf
0.86V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 76,32
€ 2,544 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 76,32
€ 2,544 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 60 | € 2,544 | € 76,32 |
| 90 - 480 | € 2,033 | € 60,98 |
| 510 - 960 | € 1,809 | € 54,26 |
| 990 - 4980 | € 1,613 | € 48,38 |
| 5010+ | € 1,575 | € 47,24 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
11A
Maximální napětí na zdroji Vds
800V
Typ balení
TO-247
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
400mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
150W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
30 V
Minimální provozní teplota
-65°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
43.6nC
Přímé napětí Vf
0.86V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


