Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
312 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
172 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
N-Channel STAFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 76,40
€ 2,547 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 76,40
€ 2,547 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Tuba |
---|---|---|
30 - 60 | € 2,547 | € 76,40 |
90 - 480 | € 2,139 | € 64,18 |
510 - 960 | € 1,895 | € 56,86 |
990 - 4980 | € 1,757 | € 52,72 |
5010+ | € 1,48 | € 44,40 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
110 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
100 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
STripFET
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10,5 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
312 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Betriebstemperatur max.
175 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
172 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku