Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
85 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 250 V až 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 3,00
€ 3,00 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 3,00
€ 3,00 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 9 | € 3,00 |
| 10 - 24 | € 2,71 |
| 25 - 99 | € 2,56 |
| 100 - 499 | € 2,03 |
| 500+ | € 1,81 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
17 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
500 V
Řada
MDmesh, SuperMESH
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
270 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
85 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku


