Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
160mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
39nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 85,68
€ 2,856 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 85,68
€ 2,856 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 2,856 | € 85,68 |
| 60 - 120 | € 2,285 | € 68,54 |
| 150+ | € 2,056 | € 61,69 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
22A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
160mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
190W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
39nC
Přímé napětí Vf
1.6V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101


