Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
29 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
FDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80,4 nC při 10 V
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FDmesh™ Power MOSFET, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 14,10
€ 7,05 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 14,10
€ 7,05 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
29 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
FDmesh
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
80,4 nC při 10 V
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku


