Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 11,52
€ 5,76 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 11,52
€ 5,76 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
2 - 8 | € 5,76 | € 11,52 |
10 - 18 | € 5,47 | € 10,94 |
20 - 48 | € 4,925 | € 9,85 |
50 - 98 | € 4,435 | € 8,87 |
100+ | € 4,21 | € 8,42 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Řada
MDmesh DM2
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101