řada: MDmesh DM2MOSFET STW35N60DM2 N-kanálový 28 A 600 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.15mm
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
20.15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 113,63
€ 3,788 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 113,63
€ 3,788 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 3,788 | € 113,63 |
| 60 - 120 | € 3,691 | € 110,72 |
| 150+ | € 3,598 | € 107,95 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
28 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
110 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
54 nC při 10 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.15mm
Länge
15.75mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.6V
Höhe
20.15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products