Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
-6.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 9,22
€ 4,61 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Štandardný
2
€ 9,22
€ 4,61 Each (In a Pack of 2) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
2
| Množstvo | Jednotková cena | Balík |
|---|---|---|
| 2 - 8 | € 4,61 | € 9,22 |
| 10 - 18 | € 4,38 | € 8,76 |
| 20 - 48 | € 3,94 | € 7,88 |
| 50 - 98 | € 3,55 | € 7,10 |
| 100+ | € 3,37 | € 6,74 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Gehäusegröße
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Betriebstemperatur min.
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
-6.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Délka
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101


