řada: MDmesh DM2 MOSFET STW35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Skladové číslo RS: 111-6482Značka: STMicroelectronicsČíslo dielu výrobcu: STW35N60DM2
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

28A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Gehäusegröße

TO-247

Řada

MDmesh DM2

Typ montáže

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Maximální ztrátový výkon Pd

210W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

54nC

Přímé napětí Vf

-6.3V

Betriebstemperatur max.

150°C

Šířka

5.15 mm

Výška

20.15mm

Délka

15.75mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.

Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

řada: MDmesh DM2 MOSFET STW35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový
Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 2) (bez DPH)

řada: MDmesh DM2 MOSFET STW35N60DM2 Typ N-kanálový 28 A 600 V STMicroelectronics, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Štandardný

Vyberte typ balenia

Štandardný - each

Dostupné v násobkoch 2.

Výroba -

Dostupné v násobkoch 2.

Odporúča sa objednávanie vo veľkých množstvách. Položky sú zabalené tak, aby boli pripravené na vloženie do strojových zariadení, čím umožňujú zvýšenie efektivity vo výrobe.

2

Dostupné v násobkoch 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Brand

STMicroelectronics

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

Type N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

28A

Maximální napětí na zdroji Vds

600V

Gehäusegröße

TO-247

Řada

MDmesh DM2

Typ montáže

Through Hole

Počet kolíků

3

Maximální odpor zdroje Rds

110mΩ

Režim kanálu

Enhancement

Maximální ztrátový výkon Pd

210W

Maximální napětí zdroje brány Vgs

25 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Typický náboj brány Qg @ Vgs

54nC

Přímé napětí Vf

-6.3V

Betriebstemperatur max.

150°C

Šířka

5.15 mm

Výška

20.15mm

Délka

15.75mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

No

Podrobnosti o výrobku

Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics

Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.

Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more