Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
-6.3V
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
28A
Maximum Drain Source Voltage Vds
600V
Package Type
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Mount Type
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor zdroje Rds
110mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximální ztrátový výkon Pd
210W
Minimum Operating Temperature
-10°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
54nC
Přímé napětí Vf
-6.3V
Maximální pracovní teplota
150°C
Height
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Automotive Standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101


