řada: MDmesh M5MOSFET STW42N65M5 N-kanálový 33 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
33 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
79 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 5,39
€ 5,39 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 5,39
€ 5,39 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
33 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
79 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
190 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
100 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
15.75mm
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products