řada: MDmesh M5MOSFET STW45N65M5 N-kanálový 35 A 710 V, TO-247, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
710 V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
78 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
5.15mm
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
82 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 29,80
€ 5,96 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
€ 29,80
€ 5,96 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
| množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 5 - 9 | € 5,96 |
| 10 - 24 | € 5,35 |
| 25 - 49 | € 5,15 |
| 50+ | € 5,03 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
35 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
710 V
Řada
MDmesh M5
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
78 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
210 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Materiál tranzistoru
Si
Breite
5.15mm
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
82 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.15mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-channel MDmesh™ M5 STMicroelectronics
Výkonové tranzistory MOSFET MDmesh M5 jsou optimalizovány pro vysoce výkonné topologie PFC a PWM. Mezi hlavní funkce patří nízké ztráty na silikonové ploše v kombinaci s nízkým nabíjením zadní výklopné stěny. Jsou navrženy pro energeticky úsporné, kompaktní a spolehlivé aplikace pro náročné přepínání, jako jsou solární napájecí měniče, napájecí zdroje pro spotřební výrobky a elektronické ovládání osvětlení.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products