Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
160 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku
Nena-Channel MDmesh™, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 131,20
€ 4,373 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 131,20
€ 4,373 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,373 | € 131,20 |
| 60 - 120 | € 4,006 | € 120,18 |
| 150+ | € 3,91 | € 117,29 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
1500 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
TO-247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
7 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
160 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-30 V, +30 V
Počet prvků na čip
1
Länge
15.75mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
30 nC při 10 V
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Breite
5.15mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
20.15mm
Podrobnosti o výrobku


