Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
66A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
42mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
446W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
121nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 273,11
€ 9,104 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 273,11
€ 9,104 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
| Množstvo | Jednotková cena | Tuba |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 9,104 | € 273,11 |
| 60+ | € 8,648 | € 259,45 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
66A
Maximální napětí na zdroji Vds
600V
Typ balení
TO-247
Řada
MDmesh DM2
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
42mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon Pd
446W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Minimální provozní teplota
-55°C
Typický náboj brány Qg @ Vgs
121nC
Přímé napětí Vf
1.3V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.15 mm
Výška
20.15mm
Länge
15.75mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Řada N-Channel MDmesh DM2 STMicroelectronics
Tranzistory MOSFET MDmesh DM2 nabízejí málo RDS(on) a s vylepšenou dobou obnovení diodového zpětného chodu pro efektivitu je tato řada optimalizována pro topologie ZVS s fázovým přenosem přes celý můstek.
Funkce DV/dt pro vyšší spolehlivost systému
Certifikát podle normy AEC-Q101


