Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
138 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
Max247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.3mm
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
414 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.3mm
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 1 028,03
€ 34,268 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 1 028,03
€ 34,268 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
138 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
Max247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.3mm
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
414 nC při 10 V
Materiál tranzistoru
Si
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Höhe
20.3mm
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku