Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
138 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
Max247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
414 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.3mm
Propustné napětí diody
1.5V
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 37,04
€ 37,04 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 37,04
€ 37,04 Each (bez DPH)
Štandardný
1
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Množstvo | Jednotková cena |
---|---|
1 - 1 | € 37,04 |
2 - 4 | € 36,07 |
5 - 9 | € 35,14 |
10+ | € 34,26 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
138 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
Max247
Montage-Typ
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
414 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
20.3mm
Propustné napětí diody
1.5V
Podrobnosti o výrobku