Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
138 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
Max247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
414 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
20.3mm
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 73,66
€ 36,83 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Výrobné balenie (Tuba)
2
€ 73,66
€ 36,83 Each (Supplied in a Tube) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Tuba)
2
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 2 - 4 | € 36,83 |
| 5 - 9 | € 35,89 |
| 10+ | € 34,99 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
138 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
650 V
Řada
MDmesh
Gehäusegröße
Max247
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
625 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-25 V, +25 V
Länge
15.9mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
414 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Breite
5.3mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Höhe
20.3mm
Propustné napětí diody
1.5V
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


