Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
138A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
15mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
414nC
Maximální ztrátový výkon Pd
625W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.3 mm
Délka
15.9mm
Výška
20.3mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 1 092,51
€ 36,417 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
30
€ 1 092,51
€ 36,417 Each (In a Tube of 30) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
30
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp produktu
MOSFET
Typ kanálu
Type N
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
138A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
15mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
414nC
Maximální ztrátový výkon Pd
625W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.3 mm
Délka
15.9mm
Výška
20.3mm
Normy/schválení
No
Automobilový standard
No
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku


