Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
138A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
15mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
414nC
Maximální ztrátový výkon Pd
625W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.3 mm
Délka
15.9mm
Normy/schválení
No
Výška
20.3mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku
Technologie N-Channel MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
€ 37,83
€ 37,83 Each (bez DPH)
Štandardný
1
€ 37,83
€ 37,83 Each (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Štandardný
1
| Množstvo | Jednotková cena |
|---|---|
| 1 - 1 | € 37,83 |
| 2 - 4 | € 36,83 |
| 5 - 9 | € 35,89 |
| 10+ | € 34,99 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTyp kanálu
Type N
Typ produktu
MOSFET
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id
138A
Maximální napětí na zdroji Vds
650V
Řada
MDmesh
Typ montáže
Through Hole
Počet kolíků
3
Maximální odpor zdroje Rds
15mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Typický náboj brány Qg @ Vgs
414nC
Maximální ztrátový výkon Pd
625W
Maximální napětí zdroje brány Vgs
25 V
Přímé napětí Vf
1.5V
Maximální provozní teplota
150°C
Breite
5.3 mm
Délka
15.9mm
Normy/schválení
No
Výška
20.3mm
Automobilový standard
No
Podrobnosti o výrobku


