Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
P.O.A.
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
3 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
100 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
100 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Abmessungen
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Maximální pracovní teplota
+150 °C
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
Napájecí tranzistory NPN, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.