Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
250 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
30
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
10 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,207
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
€ 0,207
Each (In a Tube of 50) (bez DPH)
50
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
STMicroelectronicsTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
1 A
Maximální napětí emitoru/kolektoru
250 V
Gehäusegröße
TO-220AB
Montage-Typ
Through Hole
Maximální ztrátový výkon
2 W
Minimální proudový zisk DC
30
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
350 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
10 MHz
Pinanzahl
3
Počet prvků na čip
1
Abmessungen
9.15 x 10.4 x 4.6mm
Betriebstemperatur max.
150 °C
Podrobnosti o výrobku
Vysokonapěťové tranzistory, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.