Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
3 x 1.4 x 1.2mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku
Víceúčelové tranzistory NPN, Taiwan Semiconductor
Bipolar Transistors, Taiwan Semiconductor
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTransistor-Typ
NPN
Maximální stejnosměrný proud kolektoru
500 mA
Kollektor-Emitter-
45 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Maximální ztrátový výkon
300 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální bázové napětí kolektoru
50 V
Maximální bázové napětí emitoru
5 V
Maximální provozní frekvence
100 MHz
Pinanzahl
3
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Abmessungen
3 x 1.4 x 1.2mm
Krajina pôvodu
Taiwan, Province Of China
Podrobnosti o výrobku