Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
5.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 4,5 V
Höhe
2.3mm
Propustné napětí diody
1V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,31
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
€ 0,31
Each (In a Pack of 25) (bez DPH)
25
Kúpiť hromadne
množstvo | Jednotková cena | Balík |
---|---|---|
25 - 50 | € 0,31 | € 7,75 |
75 - 125 | € 0,26 | € 6,50 |
150 - 475 | € 0,23 | € 5,75 |
500+ | € 0,21 | € 5,25 |
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
55 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
13 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
40 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
5.8mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,5 nC při 4,5 V
Höhe
2.3mm
Propustné napětí diody
1V