Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
70 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-252-3L
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.57mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Breite
6.11mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
2.29mm
Propustné napětí diody
1V
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
70 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
60 V
Gehäusegröße
TO-252-3L
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3 + Tab
Maximální odpor kolektor/zdroj
15 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
125 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.57mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
18 nC při 4,5 V, 37 nC při 10 V
Breite
6.11mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
2.29mm
Propustné napětí diody
1V
Betriebstemperatur min.
-55 °C