Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
39 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
2.3mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Höhe
6.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1875
P.O.A.
1875
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
IPAK (TO-251)
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
10 Úř. věst. Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4.5V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2.5V
Maximální ztrátový výkon
39 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
2.3mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,1 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.6mm
Höhe
6.1mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V