Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
900 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,69 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.05mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Výrobné balenie (Cievka)
50
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Výrobné balenie (Cievka)
50
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2.8 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Maximální ztrátový výkon
900 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,69 nC při 4,5 V
Breite
1.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Počet prvků na čip
1
Länge
3.05mm
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Höhe
0.95mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku