MOSFET TSM2302CX RFG N-kanálový 2.8 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS: 398-423PZnačka: Taiwan SemiconductorČíslo dielu výrobcu: TSM2302CX RFG
brand-logo
Zobraziť všetko v kategorii MOSFETs

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

900 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3,69 nC při 4,5 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET TSM2302CX RFG N-kanálový 2.8 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Vyberte typ balenia

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (bez DPH)

MOSFET TSM2302CX RFG N-kanálový 2.8 A 20 V, SOT-23, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Vyberte typ balenia

Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Technické dokumenty

Špecifikácie

Typ kanálu

N

Maximální stejnosměrný odběrový proud

2.8 A

Maximální napětí kolektor/zdroj

20 V

Gehäusegröße

SOT-23-8

Montage-Typ

Surface Mount

Počet kolíků

3

Maximální odpor kolektor/zdroj

65 mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální prahové napětí řídicí elektrody

1.2V

Maximální ztrátový výkon

900 mW

Konfigurace tranzistoru

Single

Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj

-8 V, +8 V

Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs

3,69 nC při 4,5 V

Breite

1.4mm

Materiál tranzistoru

Si

Počet prvků na čip

1

Länge

3.05mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Höhe

0.95mm

Betriebstemperatur min.

-55 °C

Podrobnosti o výrobku

N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor

MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more