Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 4,5 V
Höhe
1.2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
1.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-23-8
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
300 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
700 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±20 V
Breite
1.7mm
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
3.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
10 nC při 4,5 V
Höhe
1.2mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.2V