MOSFET TSM3457CX6 RFG P-kanálový 5 A 30 V, SOT-26, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-26
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,52 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
P
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SOT-26
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
100 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
3V
Maximální ztrátový výkon
2 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-20 V, +20 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
9,52 nC při 10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.1mm
Breite
1.7mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Krajina pôvodu
China
Podrobnosti o výrobku
P-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products