Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
ITO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
38,7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10mm
Höhe
15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
4 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
800 V
Gehäusegröße
ITO-220
Montage-Typ
Through Hole
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
3 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
38,7 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Breite
4.6mm
Počet prvků na čip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
20 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
10mm
Höhe
15mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.5V