Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
38 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.8mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
2.3mm
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
P.O.A.
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
2500
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.3 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
600 V
Gehäusegröße
DPAK (TO-252)
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
1.4 Ω
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
2V
Maximální ztrátový výkon
38 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
±30 V
Počet prvků na čip
1
Breite
5.8mm
Länge
6.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
7,7 nC při 10 V
Betriebstemperatur max.
+150 °C
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1.4V
Höhe
2.3mm