MOSFET TSM6968DCA RVG N-kanálový 6.5 A 20 V, TSSOP, počet kolíků: 8 dvojitý Společný drain Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSSOP, TSSOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1,04 W
Konfigurace tranzistoru
Společný drain
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.5mm
Breite
3.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
Duální N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,35
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
€ 0,35
Each (In a Pack of 50) (bez DPH)
50
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Taiwan SemiconductorTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
6.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
20 V
Gehäusegröße
TSSOP, TSSOP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
22 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1V
Maximální ztrátový výkon
1,04 W
Konfigurace tranzistoru
Společný drain
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +12 V
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
15 nC při 4,5 V
Počet prvků na čip
2
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
4.5mm
Breite
3.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
Duální N-Channel Power MOSFET, Taiwan Semiconductor
MOSFET Transistors, Taiwan Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products