řada: NexFETMOSFET CSD13303W1015 N-kanálový 3,5 A 12 V, DSBGA, počet kolíků: 6 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
DS BGA
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
1.65 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,9 nC při 4,5 V
Breite
1mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
0.38mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
3.5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
DS BGA
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
23 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.2V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.65V
Maximální ztrátový výkon
1.65 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +8 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
1.5mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
3,9 nC při 4,5 V
Breite
1mm
Materiál tranzistoru
Si
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Höhe
0.38mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products