řada: FemtoFETMOSFET CSD13383F4T N-kanálový 2,9 A 12 V, PICOSTAR, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
0.64mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 0 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
1.04mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
0.35mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
2,9 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
12 V
Gehäusegröße
PICOSTAR
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
3
Maximální odpor kolektor/zdroj
65 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální ztrátový výkon
500 mW
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-10 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Länge
0.64mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2 nC při 0 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Breite
1.04mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
FemtoFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Propustné napětí diody
1V
Höhe
0.35mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel FemtoFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products