Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,75
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
€ 0,75
Each (In a Pack of 5) (bez DPH)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
100 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
VSON-CLIP
Řada
NexFET
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
3.8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
14 nC při 4,5 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Höhe
1.05mm
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Podrobnosti o výrobku