řada: NexFETMOSFET CSD16322Q5C N-kanálový 21 A 25 V, SON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,8 nC při 4,5 V
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
21 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,2 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.4V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3.1 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
6.1mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,8 nC při 4,5 V
Breite
5.1mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.05mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Dual MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products