Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,5 nC při 4,5 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
5
P.O.A.
Výrobné balenie (Cievka)
5
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
60 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Počet kolíků
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
7,8 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.1V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.6V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Länge
3.4mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
6,5 nC při 4,5 V
Breite
3.4mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
1.1mm
Podrobnosti o výrobku