řada: NexFETMOSFET CSD16412Q5A N-kanálový 52 A 25 V, SON, počet kolíků: 8 Jednoduchý Si
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
52 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,9 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
52 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
25 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
16 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
2.3V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
1.7V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-12 V, +16 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Maximální pracovní teplota
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.8mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,9 nC při 4,5 V
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products