Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
73 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.8mm
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
€ 0,28
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
€ 0,28
Each (On a Reel of 2500) (bez DPH)
2500
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
73 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
VSONP
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
8
Maximální odpor kolektor/zdroj
17,3 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Breite
5mm
Anzahl der Elemente pro Chip
1
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
4 nC při 4,5 V
Betriebstemperatur max.
150 °C
Materiál tranzistoru
Si
Länge
5.8mm
Höhe
1.1mm
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Krajina pôvodu
Malaysia
Podrobnosti o výrobku