Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
42 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,1 nC při 4,5 V
Breite
2mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm
Informácie o zásobách sú dočasne nedostupné.
Skúste to znovu neskôr.
P.O.A.
10
P.O.A.
10
Technické dokumenty
Špecifikácie
Brand
Texas InstrumentsTyp kanálu
N
Maximální stejnosměrný odběrový proud
5 A
Maximální napětí kolektor/zdroj
30 V
Gehäusegröße
SON
Montage-Typ
Surface Mount
Pinanzahl
6
Maximální odpor kolektor/zdroj
42 mΩ
Režim kanálu
Vylepšení
Maximální prahové napětí řídicí elektrody
1.8V
Minimální prahové napětí řídicí elektrody
0.9V
Maximální ztrátový výkon
2,3 W
Konfigurace tranzistoru
Single
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj
-8 V, +10 V
Počet prvků na čip
1
Betriebstemperatur max.
150 °C
Länge
2mm
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs
2,1 nC při 4,5 V
Breite
2mm
Materiál tranzistoru
Si
Řada
NexFET
Betriebstemperatur min.
-55 °C
Höhe
0.8mm